折舊攤銷拖累業績 芯聯內建去年扣非虧損超22億元

（文/夏峰琳 編輯/徐喆）日前，國産車規級晶片代工企業芯聯內建（688469.SH）交出公司登陸科創闆後的首份年報。财務資料顯示，2023年公司營收雖然逆勢增長，但是公司虧損驟然擴大，毛利率也大幅下滑。

具體而言，報告期内，芯聯內建實作營收53.24億元，同比增長15.59%。同期歸屬淨利潤續虧19.58億元，較去年同比增虧79.92%。扣非淨利潤虧損22.6億元，較去年同比增虧61.2%。

值得一提的是，在一衆A股晶圓領域次新股中，芯聯內建是唯一一家營收逆勢增長的企業。對于營收增長，芯聯內建表示，原因在于公司抓住了新能源市場增長及國産替代的契機，車載領域收入增長直接帶動公司整體收入的強勢增長。

不過，由于芯聯內建所在的晶圓代工行業屬于技術和資本密集型行業，需要大額的固定資産投入及持續的研發投入以保持産品的技術領先。報告期内，僅折舊及攤銷高達34億元。受此影響，公司虧損面擴大。

對此，業内人士分析表示，芯聯內建自獨立營運以來，将發展重點放在了新能源車和儲能市場上。然而，汽車晶片行業前景不容樂觀，市場正逐漸邁向産能過剩的階段，芯聯內建正走向“紅利期”之後尋求新增長極的十字路口。為此，公司去年投資超百億布局中高端産品線以打造第二增長曲線，這些投資則是固定資産折舊及攤銷激增的根源。

而這一布局是否能順利成為芯聯內建新的業績增長點，幫助公司扭虧為盈，還有待觀察。

車載應用拉動營收逆勢增長

芯聯內建脫胎于國産晶圓代工龍頭中芯國際，公司成立于2018年，2023年5月在科創闆上市。短短五年内，芯聯內建建立了8英寸、12英寸和SIC産線，晶圓産能迅速提升。其主要産品包括功率器件、MEMS和射頻晶片，廣泛應用于新能源汽車、風光儲、電網等中高端領域。

财報顯示，芯聯內建的主營業務收入49.11億元，比上年同期增加9.52億元，同比增長24.06%。按照下遊應用領域劃分，公司46.97%的主營收入來自車載應用領域，同比增長128.42%；29.46%的主營收入來自工控應用領域，同比增長26.63%；23.56%的主營收入來自高端消費領域，受消費市場景氣度的影響，同比有所下降。

由此可見，報告期内，車載領域為芯聯內建貢獻了近五成營收，成為公司的營收支柱。對此，公司表示，主要受益于國内新能源汽車行業的快速增長及國産替代的雙重紅利。

根據中國汽車工業協會的資料統計,2023年中國新能源汽車銷售量949.5萬輛，同比增長 37.9%。大陸新能源汽車産銷量占全球比重超過60%、連續9年位居世界第一位，全年新能源汽車滲透率超過31.6%。新能源汽車出口120.3萬輛、同比增長 77.2%，均創曆史新高。

随着新能源汽車的普及度快速提升，新能源汽車及充電樁對 IGBT、MOSFET等功率器件的需求也在大幅提升。功率半導體作為汽車電子的核心，是新能源汽車中成本僅次于電池的第二大核心零部件，芯聯內建正是抓住這一時機，一躍成為中國規模最大的車規級IGBT晶片和模組代工廠。

大額資本開支導緻虧損面擴大

芯聯內建的營收規模雖逆勢上漲，但是虧損面卻持續擴大。

對于業績虧損，芯聯內建認為原因有三，一方面是受到宏觀經濟增速放緩和行業周期影響等多方面因素的影響，2023年下半年市場需求有所下降，使得公司營業收入增幅未達預期；另一方面，公司布局碳化矽、電源管理晶片等産品方向的市場，産品線由4個增加至7個，年度研發投入達15.29億元，占營業收入比例從去年的18.2增長到28.7%。

此外，報告期内，公司在12英寸産線、SiC MOSFET産線、模組封測産線等方面進行了大量的戰略規劃和項目布局。為購建固定資産、無形資産和其他長期資産支付的現金約為103.37億元，進而導緻報告期内折舊攤銷費用合計達34.51億元，直接影響了公司淨利潤表現。

值得一提的是，芯聯內建屬于資金密集型及技術密集型半導體行業，需要大額的固定資産投入及持續的研發投入以保持産品的技術領先。因高折舊和高研發侵蝕利潤，公司已經連虧數年，成立至今尚未實作盈利。

事實上，自2020年起到2022年，芯聯內建的虧損面已經趨向收窄，公司毛利率雖連續為負，但也趨向轉正。然而，在2023年，上述兩項名額均未能延續改善趨勢。

對此業内人士認為，芯聯內建毛利率轉而向下背後反應的是汽車晶片市場競争格局持續惡化的殘酷現實。市場正逐漸邁向産能過剩的階段,芯聯內建正走向“紅利期”之後尋求新增長極的十字路口。

這或許也解釋了，芯聯內建為何在距離扭虧為盈隻有一步之遙時，加大資本性投入增加生産線，布局中高端市場。

加碼中高端打造第二增長點謀破局

為保證産品具有國際競争力，報告期内，芯聯內建持續在8英寸功率控制、功率驅動、傳感信号鍊等核心晶片及模組産品增加研發投入，同時公司大幅增加了對 SiC MOSFET、12 英寸産品方向的研發力度。在産品技術方面，公司已完成8英寸到12英寸的技術轉移和開發。

報告期内，芯聯內建調減了IPO募投項目 " 二期晶圓制造項目 " 的投資金額，轉而将資金投入到新增的中芯紹興 " 三期12英寸內建電路數模混合晶片制造項目 "。

然而，國産12英寸功率半導體市場已成為競争熱點。不論是本土廠商還是外資廠商都紛紛布局。SEMI國際半導體協會預計，随着台積電、華虹半導體、英飛淩、英特爾、铠俠、美光、三星、SK海力士、中芯國際、意法半導體、德州儀器等廠商增加産能，将有82座新廠房和産線在2023年至2026年期間營運。

與此同時，芯聯內建積極打造第二增長曲線，加大碳化矽（SiC）業務布局。公司從2021年起投入SiC MOSFET晶片、模組封裝技術的研發和産能建設。據了解，芯聯內建8英寸SiC晶圓和晶片計劃年内送樣。

需要指出的是，第三代半導體碳化矽也在加速從6英寸晶圓向8英寸晶圓過渡。不僅Wolfspeed、英飛淩、意法半導體等海外廠商有建廠計劃，多家國内廠商也布局8英寸碳化矽産業鍊。

據集邦化合物半導體統計，目前已超10家企業8英寸SiC襯底進入了送樣、小批量生産階段，包括：爍科晶體、晶盛機電、天嶽先進、南砂晶圓、同光股份、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體、超芯星、盛新材料（中國台灣）、粵海金。

除了上述提及的廠商，目前還有不少在研8英寸襯底的中國廠商，如環球晶圓（中國台灣）、東尼電子、合盛矽業、天成半導體、平煤神馬合資公司中宜創芯等。

投資方面，爍科晶體、南砂晶圓、天嶽先進、天科合達、乾晶半導體、科友半導體、三安光電等均有8英寸襯底相關擴産計劃，旨在提前為後續中下遊客戶做好材料産能供應的準備。

而2024年開年以來，已有8英寸襯底項目傳來進展：南砂晶圓旗下中晶芯源8英寸SiC單晶和襯底産業化項目正式備案，該項目已于2023年6月12日落地山東濟南，計劃在2025年滿産達産。

海内外廠商搶灘8英寸碳化矽，芯聯內建能否率先完成産業化，打造出第二增長曲線，走向盈虧平衡，觀察者網将持續關注。